Записи с меткой: оксид гафния

Описание процесса переключения оксида гафния

Описание процесса переключения оксида гафния

Физики из МФТИ детально описали процесс переключения электрической поляризации оксида гафния, на основе которого многие исследователи предлагают делать запоминающие ячейки для компьютерных устройств нового поколения. На страницах журнала ACS Applied Materials and Interfaces учёные представили данные о поведении этого перспективного материала на микроскопическом уровне.

Вещество со структурной формулой Hf...

подробнее » Иллюстрация к статье: Яндекс.Картинки