Эти деньги выделят из бюджета области. ВГУ и НИИЭТ по условиям конкурса вложат в проект и собственные средства. Лаборатория нитрид-галлиевой и кремниевой электроники станет площадкой для поисковых и прикладных работ по развитию наиболее перспективного направления в полупроводниковой промышленности.
— Современная электроника основана на кремниевых технологиях, но их развитие достигло своего предела, — пояснил руководитель лаборатории, заведующий кафедрой физики твердого тела и наноструктур физфака ВГУ Павел Середин. — Кремний уступает место материалу будущего — полупроводнику под названием нитрид галлия (GaN). Почему GaN? Ответ на этот вопрос весьма прост — меньше, быстрее, дешевле и лучше. Стартапы работают над развитием этой технологии — не исключено, что уже в 2030 году человечество полностью выйдет из кремниевой эры и войдет в эру нитрида галлия.
По оценкам ведущих маркетинговых организаций, ключевым игроком на мировом рынке полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия будет Азиатско-Тихоокеанский регион. В России пока есть лишь одно предприятие, способное серийно изготавливать кристаллы по технологии нитрид-галлий на кремнии, — воронежское АО «НИИЭТ».
— Создание лаборатории позволит объединить усилия ведущих специалистов, ученых и конструкторов из ВГУ, Академического университета имени Ж. Алферова, Зеленоградского научного центра и представителей НИИЭТ. Наши разработки позволят значительно упростить и уменьшить проектируемые электронные схемы, как минимум на 50 процентов снизить их энергопотребление и в несколько раз повысить надежность и долговечность. Благодаря гранту правительства Воронежской области мы сможем замкнуть круг недостающего в лаборатории инновационного оборудования и через полтора-два года получим технологии, которые будут внедрены в производство, — подчеркнул Середин.
Новая продукция позволит производить базовые станции сотовой связи 5G, приложения для электротранспорта
Новая продукция позволит конструировать и производить в России базовые станции сотовой связи 5G (в перспективе — 6G), системы обнаружения и распознавания объектов (лидары), приложения для автономного электротранспорта. Разработанные в Воронеже технологии пригодятся в производстве портативных медицинских устройств, роботов, БПЛА и дронов, систем безопасности и других изделий. В перспективе до 2030 года создание лаборатории будет способствовать обеспечению внутреннего рынка российской электроники на 70 процентов.
— Воронежская область всегда являлась одним из лидеров в развитии электронной промышленности страны. Предприятия региона разрабатывали и выпускали продукты, которые были инновационными не только в России, но и в мире. Невозможно развивать отрасль без постановки амбициозных задач, создания условий технологической независимости государства. Исходя из этих посылов, АО «НИИЭТ» выдвинул инициативу по созданию постростового производства полного цикла изделий на основе нитрида галия. Уже сейчас выработаны компетенции по производству ряда изделий, осуществляются поставки СВЧ и силовых изделий на основе нитрида галлия, выстроены чистые производственные помещения, отработан ряд технологических процессов. Для дальнейшего развития необходимо пройти большой путь, в том числе и по отработке технологии, и по подготовке кадров. Именно поэтому мы поддержали инициативу ВГУ по открытию лаборатории, — пояснил «РГ» генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел Куцько.
К слову, воронежский проект производства изделий на основе нитрида галлия получил предварительное одобрение министра промышленности и торговли Дениса Мантурова в ходе его недавнего визита в столице Черноземья. Для его реализации необходимо создание кластера предприятий микроэлектроники.
Лаборатория ВГУ станет одним из элементов инфраструктуры этого кластера, поскольку на ее базе будет идти подготовка и повышение квалификации специалистов для микроэлектронной промышленности всей Воронежской области. У сотрудников НИИЭТ и других предприятий появится возможность попрактиковаться в выполнении отдельных технологических операций, разработке собственной топологии, конструировании и проведении стресс-тестов изделий электронной компонентной базы.
Иллюстрация к статье:
Обсуждение